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艾司摩爾（ASML）與台積電（2330）7日宣布，將共同推動晶片製造轉移升級至12吋光罩，要把最先進的高數值孔徑極紫外光（High NA
EUV）微影技術的價值發揮到極致，台積電規劃，2031年之前建立12吋光罩試產線，2033年將微影系統全面就緒。
業界認為，台積電與艾司摩爾原本就是長期合作夥伴，隨著半導體製程將邁入埃米世代、線寬愈來愈細，微影技術扮要角，兩家公司擴大合作，台積電發展次世代先進製程將更順遂，持續稱霸全球晶圓代工產業。
BACUS國際光學工程學會（SPIE）先進微影技術研討會7日於加州蒙特雷舉辦，台積電與艾司摩爾在會前公布這項重大合作案。
業界分析，High NA
EUV設備總體單價高達約3.8億至4.1億美元（約新台幣120億元），價格較第一代EUV設備翻倍，是史上最貴半導體設備，使用成本遠高於現有EUV設備，預估最快2030年導入量產，將有助後續埃米級製程如A10等推進發展。
台積電指出，2030年起在先進製程量產中導入High NA EUV微影技術，製程技術持續推進，特別在AI應用帶動電晶體架構日益複雜的趨勢下，需要使用High
NA EUV曝光的光罩層數將隨之增加。
High NA EUV將自現行的6吋光罩，轉移至更大的12吋光罩，將改變半導體製造關鍵零組件光罩的規格，能提高生產效率、降低成本，追上AI需求的成長速度。
台積電董事長魏哲家指出，台積電深信唯有產業攜手解決複雜問題，才能開創單一企業無法獨力實現的無限可能。期許透過持續創新來降低門檻，讓先進解決方案得以大規模普及。
艾司摩爾是全球唯一能製造EUV曝光機的廠商，是生產全球最先進AI加速器等晶片不可或缺的工具。
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