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台積電（2330）先進製程持續衝鋒，並將導入下世代艾司摩爾（ASML）高數值孔徑極紫外光（High NA
EUV）設備藍圖明確，業界預期，協力夥伴家登、家碩及迅得等可望同步沾光。
台積電已宣布計畫2030年起先進製程量產中導入，並於2031年前建立12吋光罩試產線，為2033年12吋導入艾司摩爾High NA微影系統先進製程量產奠定基礎。
家登集團旗下家碩指出，High NA EUV技術持續推進，以及未來大尺寸光罩相關技術演進，產業鏈亦積極投入新世代光罩及周邊設備研發。
家碩強調，憑藉既有EUV光罩自動化設備技術基礎，積極參與相關技術開發，提前布局下一世代先進製程所需光罩儲存、傳送及自動化解決方案，持續深化先進製程供應鏈技術競爭力。
家登則提到，更加積極推進擴廠計畫，日本久留米廠已完成上梁，預計2027年完成廠房建置，並依客戶需求逐步踏入量產；美國亞利桑那州航太與半導體零組件加工產線預計下一季開始投產，在既有倉辦架構下啟動基礎加工量能，以航太需求為主，未來有機會逐步擴大半導體製造能力。
系統整合廠迅得攜手家登集團服務半導體廠先進製程相關需求，迅得是國內第一家進入半導體晶圓廠內自動化物料搬運系統（AMHS）的主要供應大廠。
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