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臺灣半導體科研再傳捷報，國立成功大學核心設施中心林光儀博士攜手跨校研究團隊，成功運用化學氣相沉積（CVD）技術，精準控制二硫化鉬（MoS₂）雙層材料的原子堆疊方式，製備出特殊的1H堆疊雙層MoS₂，突破傳統雙層MoS₂受間接能隙限制的材料特性，使其重新展現直接能隙與優異的谷極化功能，這項突破性研究成果登上10
月 1 日出版的國際頂尖學術期刊《自然（Nature）》。

這項研究由成大核心設施中心助理研究員暨非破壞性分析技術長林光儀博士，與國立臺灣師範大學物理學系藍彥文教授、陸亭樺教授及楊弘偉博士後研究員共同擔任通訊作者，並攜手國立臺灣大學、國立陽明交通大學及國家同步輻射研究中心等跨校研究團隊，整合材料成長、先進分析、理論計算與光譜量測等專業技術，展現跨校、跨領域合作的研究實力。

林光儀博士分享，石墨烯的研究突破，源自科學家運用不同於傳統材料製備的方式，透過膠帶反覆剝離石墨，成功取得單層石墨烯，為二維晶體的研究開啟新頁。具有物理學背景的林博士，在研究過程中意外觀察到雙層
MoS₂
展現顯著的發光特性，與過去對雙層材料的普遍認知有所不同，因而引發深入探究的興趣。研究團隊歷經反覆實驗與多項技術交叉驗證，終於確認這項特殊結構所呈現的物理特性。

此項研究證明，未來二維半導體的材料設計，除了改變材料種類與厚度，更可進一步透過精準控制原子堆疊方式，調控材料的基本電子與光學性質。這項策略未來可望延伸應用於超薄發光元件、光偵測器、光資訊處理、谷電子學及量子功能元件，為後摩爾時代半導體技術與新興量子科技提供新的材料設計方向。

林光儀博士表示，這項研究成果有賴跨校研究團隊長期投入與密切合作，並感謝國家科學及技術委員會專題研究計畫及尖端晶體材料開發及製作計畫的經費支持，以及成大與核心設施中心在研究資源、專業技術及先進儀器設施等方面所提供的協助，讓跨領域研究構想得以逐步實現，並在國際頂尖學術期刊發表成果，展現臺灣在二維半導體材料研究上的科研實力。

參考閱讀

,國立教育廣播電台 ・ 3 分鐘前

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