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大陸DRAM龍頭長鑫存儲稱領先全球同業，完成記憶體新的單元架構「4F²」設計，藉此提高DRAM密度，預計今年底前推出以該架構設計的DDR5產品，揮軍伺服器市場。
這意味著長鑫存儲正將產品線從低階消費性電子，全面跨足企業級伺服器基礎設施與AI資料中心領域，恐進而打破現有國際記憶體定價體系，並加速侵蝕產業整體毛利率。長鑫存儲技術大躍進，市場憂心「紅鏈恐打亂記憶體市場一池春水」，引發全球記憶體股大跳水，韓股昨（13）日更一度跌到熔斷。
市場擔心的是，若長鑫存儲4F²設計量產成功，其DRAM技術將逼近甚至超越三星、SK海力士，牽動全球記憶體股。彭博資訊分析，長鑫存儲正在縮小落後三星、SK海力士及美光等三大記憶體原廠的技術差距，可能撼動記憶體市場的「三強鼎立」局面。
綜合外媒報導，長鑫存儲總裁曹堪宇上周末在上海一場產業活動上表示，計劃在今年底前推出根據4F²設計的新款伺服器記憶體產品。
業界分析，F代表一顆半導體的最小線寬，4F²設計內，每個記憶體單元占據的面積為4F的平方，能在單一晶片放入更多單元，提高儲存密度。相較下，目前主流的商用DRAM採用6F²單元架構。
長鑫存儲預期，將在今年底前發表新一代DDR5 RDIMM，專為企業級伺服器設計的記憶體模組，也將納入這種先進技術，但未透露規格細節或發表時間。
長鑫存儲表示，其4F²設計的核心為自有的垂直環繞閘極（VSG）電晶體，能運用垂直閘極架構處理目前的記憶體流失問題，同時大幅縮減單位面積、又提高儲存密度。但由於現有的製造流程無法完全配合這種新架構，長鑫存儲必須重新設計關鍵製程，優化效能功耗比。
目前全球主要DRAM製造正在追求4F²技術，SK海力士在2025年發表4F²發展路線圖，南韓媒體4月則報導，三星計畫在2028年前，根據4F²設計，量產10奈米以下的DRAM。
長鑫存儲宣稱今年底前就能推出以4F²技術打造的DDR5相關產品，腳步比南韓兩大記憶體巨頭快，市場憂心紅鏈技術一旦超車三大原廠，恐打亂市場秩序，現階段記憶體供不應求、價格暴漲的榮景恐隨之落幕。
延伸閱讀
瑞穗分析師：七大理由 長鑫技術不致威脅美光、三星
【看原文連結】
[https://udn.com/news/story/6811/9812842?utm_source=yahoonews&utm_medium=yahoo]
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參考閱讀
長鑫出大招！完成「4F²」設計 DRAM市場嚇壞,聯合新聞網
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